Metoda nanoindentacji w badaniach procesów odkształcenia plastycznego półprzewodników

[...] Niniejszą monografię poświęcono zjawiskom zachodzącym podczas nanoindentacji arsenku galu i krzemu, półprzewodników szeroko wykorzystywanych w przemyśle elektronicznym. W szczególności wiele miejsca poświęcono badaniom przebiegu odkształcenia plastycznego w litym GaAS raz w izolowanych nanokulach Si. Autor ma nadzieję, że przedstawiona praca przyczyni się do rozwoju badań materiałów, w których przemiany fazowe mogą wpływać na przebieg odkształcenia plastycznego, np. w stopach z pamięcią kształtu.

Wstęp
Dariusz Chrobak